IRLU024NPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLU024NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IRLU024NPBF nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRLU024NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRLU024NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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IRLU024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl |
auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12941 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU024NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLU024NPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
TO-251 |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU024NPBF(Transistor) Produktcode: 73061 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 55 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 480/15 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
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IRLU024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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