Produkte > VISHAY > IRLU014PBF
IRLU014PBF

IRLU014PBF Vishay


sihlr014.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
160+0.97 EUR
179+ 0.83 EUR
207+ 0.7 EUR
500+ 0.61 EUR
1000+ 0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 160
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRLU014PBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote IRLU014PBF nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRLU014PBF IRLU014PBF Hersteller : Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 1840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
160+0.97 EUR
Mindestbestellmenge: 160
IRLU014PBF IRLU014PBF Hersteller : VISHAY IRLU014.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
60+1.2 EUR
115+ 0.63 EUR
127+ 0.56 EUR
166+ 0.43 EUR
175+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 60
IRLU014PBF IRLU014PBF Hersteller : VISHAY IRLU014.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
60+1.2 EUR
115+ 0.63 EUR
127+ 0.56 EUR
166+ 0.43 EUR
175+ 0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 60
IRLU014PBF IRLU014PBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihlr014.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLU014
auf Bestellung 3136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+1.37 EUR
10+ 1.14 EUR
100+ 0.91 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.81 EUR
6000+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLU014PBF IRLU014PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihlr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
auf Bestellung 2727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+1.43 EUR
75+ 1.15 EUR
150+ 0.91 EUR
525+ 0.77 EUR
1050+ 0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRLU014PBF IRLU014PBF Hersteller : Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
IRLU014PBF IRLU014PBF Hersteller : Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar