IRLR8726TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLR8726TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRLR8726TRPBF nach Preis ab 0.27 EUR bis 10.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V |
auf Bestellung 34000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC |
auf Bestellung 31439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V |
auf Bestellung 35865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A On-state resistance: 5.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 340A Mounting: SMD Case: DPAK Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A On-state resistance: 5.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 340A Mounting: SMD Case: DPAK |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4871 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR8726TRPBF Produktcode: 192200 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR8726TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |