IRLR8256TRPBF Infineon Technologies
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| 3+ | 1.21 EUR |
| 10+ | 1.08 EUR |
| 100+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.52 EUR |
| 2000+ | 0.48 EUR |
| 4000+ | 0.44 EUR |
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Technische Details IRLR8256TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 81A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 13 V.
Weitere Produktangebote IRLR8256TRPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IRLR8256TRPBF | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRLR8256TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0042 ohm, TO-252AA, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25 Dauer-Drainstrom Id: 81 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 63 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR8256TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8256TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 81 A, 0.0042 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Verlustleistung: 63 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR8256TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRLR8256TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 81A; 63W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 81A Power dissipation: 63W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRLR8256TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 81A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 13 V |
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IRLR8256TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 81A; 63W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 81A Power dissipation: 63W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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