IRLR3410TRLPBF(Transistor)
Produktcode: 89552
Hersteller: IRGehäuse: DPAK-3
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.105
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar 6 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 14 EUR |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRLR3410TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3410TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv |
auf Bestellung 4010 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3410TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 40062 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3410TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLR3410TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 79W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLR3410TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 79W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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KBP310 (Diodenbrücke) Produktcode: 42661 |
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBP
Urew: 1000V
I dir: 3A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: KPB3005, KPB301, KPB302, KPB304, KPB306, KPB308, KPB301G, KPB302G, KPB303G, KPB304G, KPB305G, KPB306G, KPB307G, KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB210, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP1
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 80 A
№ 7: 8541 10 00 10
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBP
Urew: 1000V
I dir: 3A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: KPB3005, KPB301, KPB302, KPB304, KPB306, KPB308, KPB301G, KPB302G, KPB303G, KPB304G, KPB305G, KPB306G, KPB307G, KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB210, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP1
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 80 A
№ 7: 8541 10 00 10
verfügbar: 518 Stück
195 Stück - stock Köln
323 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
323 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.75 EUR |
10+ | 0.7 EUR |
100+ | 0.15 EUR |
IRFR4620PBF Produktcode: 37550 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 200 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 200 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
JHGF: SMD
auf Bestellung 3 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)