IRLR3110ZTRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLR3110ZTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 140W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRLR3110ZTRLPBF nach Preis ab 1.03 EUR bis 2.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl |
auf Bestellung 42645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3110ZTRLPBF Produktcode: 156274 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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| IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 140W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRLR3110ZTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 45A Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 140W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |