IRLR2908TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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| 6000+ | 0.78 EUR |
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Technische Details IRLR2908TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRLR2908TRPBF nach Preis ab 0.57 EUR bis 2.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRLR2908TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2908TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2908TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1951 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2908TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 80V 1 N-CH HEXFET 28mOhms 22nC |
auf Bestellung 10344 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2908TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6684 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2908TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2908TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0225 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| IRLR2908TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2908TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLR2908TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLR2908TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 39A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLR2908TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 39A Power dissipation: 120W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLR2908TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 39A Power dissipation: 120W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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