IRLR2705TRPBF
Produktcode: 122892
Hersteller: IRUds,V: 55 V
Idd,A: 28 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRLR2705TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2705TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2705TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2705TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2705TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 28A Power dissipation: 68W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 944 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLR2705TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 28A Power dissipation: 68W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 944 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2705TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC |
auf Bestellung 28304 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2705TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2705TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2705TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2705TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2705TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2705TRPBF | Hersteller : Infineon | Транзистор DPAK MOSFET N-канал, 55В, 28A |
auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2705TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR5305PBF Produktcode: 2560 |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 25
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 55
Id,A: 25
Rds(on),Om: 0.065
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: SMD
auf Bestellung 724 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.48 EUR |
10+ | 0.47 EUR |
47uF 400V EXR 16x31,5mm (EXR470M2GB-Hitano) Produktcode: 17671 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 400V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -25...+105°C
Abmessungen: 16x31,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 400V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -25...+105°C
Abmessungen: 16x31,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 639 Stück
29 Stück - stock Köln
610 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
610 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
1000 Stück
1000 Stück - erwartet 30.11.2024
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.98 EUR |
10+ | 0.81 EUR |
100+ | 0.62 EUR |
IRL2505PBF Produktcode: 27992 |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 104
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 104
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/130
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 219 Stück
25 Stück - stock Köln
194 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
194 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.28 EUR |
10+ | 1.26 EUR |
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo) Produktcode: 82544 |
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 86488 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)4,7uF 6,3V X5R 10% 0603 (0603X475K063NT – Hitano) Produktcode: 104943 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 4.7uF
Nennspannung: 6.3V
Dielektrikum: X5R
Präzision: +/-10% K
Größentyp: 0603
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 4.7uF
Nennspannung: 6.3V
Dielektrikum: X5R
Präzision: +/-10% K
Größentyp: 0603
auf Bestellung 3945 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)