IRLR2705TRLPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IRLR2705TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRLR2705TRLPBF nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRLR2705TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2705TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 24A 40mOhm 16.7nC LogLvl |
auf Bestellung 23136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2705TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9840 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2705TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRLR2705TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2705TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.04 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2705TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLR2705TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRLR2705TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Pulsed drain current: 110A Drain-source voltage: 55V Drain current: 20A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| IRLR2705TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 20A; Idm: 110A; 68W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Pulsed drain current: 110A Drain-source voltage: 55V Drain current: 20A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 68W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V |
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