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IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Name: IRLR120NTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 5058998-5
Price: 0.49 EUR
Availability: InStock

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Technische Details IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis ohne MwSt
	IRLR120NPBF Produktcode: 32182		Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 100 V Idd,A: 10 А Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 440/20 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD	auf Bestellung 326 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

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6000+	0.64 EUR
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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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181+	0.86 EUR
203+	0.74 EUR
204+	0.7 EUR
227+	0.61 EUR
250+	0.58 EUR
500+	0.51 EUR
1000+	0.39 EUR

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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59+	1.22 EUR
71+	1.02 EUR
74+	0.97 EUR
82+	0.88 EUR
159+	0.45 EUR
168+	0.43 EUR

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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71+	1.02 EUR
74+	0.97 EUR
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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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105+	1.48 EUR
150+	0.99 EUR
164+	0.88 EUR
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1000+	0.59 EUR
2000+	0.56 EUR

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

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11+	1.62 EUR
14+	1.33 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.71 EUR

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363444.pdf

MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC

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10+	1.25 EUR
100+	1.02 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.71 EUR
2000+	0.64 EUR

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : INFINEON

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon

Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET N-Channel U=100V I=10A Rds=185 mOhm @ 6A, 10V, 48 W

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR120NTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR120NTRPBF
Produktcode: 22353

Hersteller : IR

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.185
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD

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