![IRLR024NPBF IRLR024NPBF](/img/dpak.jpg)
IRLR024NPBF
![irlr024npbf-datasheet.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Produktcode: 113439
Hersteller: IRUds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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Weitere Produktangebote IRLR024NPBF
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRLR024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRLR024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRLR024NPBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
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IRLR024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
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IRLR024NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRLR024NPBF | Hersteller : Infineon (IRF) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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