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IRLML5103TRPBF

IRLML5103TRPBF Infineon Technologies

irlml5103.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details IRLML5103TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
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IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668505d2617 Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
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IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLML5103_DataSheet_v01_01_EN-3363620.pdf MOSFETs MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl
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IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5103TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlml5103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668505d2617 P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 760 мА; Ptot, Вт = 0,54; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 75 @ 25; Qg, нКл = 5.1 @ 10 В; Rds = 600 мОм @ 600 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOT-23
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IRLML5103TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irlml5103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668505d2617 P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
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IRLML5103TRPBF Hersteller : Ningbo KLS electronic co.,ltd irlml5103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668505d2617 P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
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IRLML5103TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml5103.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.76A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml5103pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml5103pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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