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IRLML5103TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLML5103TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRLML5103TRPBF nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.57 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V |
auf Bestellung 61518 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 49211 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 49211 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 183000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 1218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
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auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : Ningbo KLS electronic co.,ltd |
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auf Bestellung 4317 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.61A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLML5103TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.61A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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