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IRLML0060TRPBF

IRLML0060TRPBF

irlml0060pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566493ef25e6
Produktcode: 38412
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 02.07.2015
Rds(on), Ohm: 0.092
Ciss, pF/Qg, nC: 05.02.290
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 237691983229368irlml0060pbf.pdffileid5546d462533600a40153566493ef25e6.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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30000+ 0.11 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 237691983229368irlml0060pbf.pdffileid5546d462533600a40153566493ef25e6.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml0060pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566493ef25e6 Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 237691983229368irlml0060pbf.pdffileid5546d462533600a40153566493ef25e6.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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12000+ 0.16 EUR
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 237691983229368irlml0060pbf.pdffileid5546d462533600a40153566493ef25e6.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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1000+ 0.29 EUR
2500+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 453
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml0060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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221+ 0.32 EUR
285+ 0.25 EUR
315+ 0.23 EUR
511+ 0.14 EUR
538+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 162
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml0060pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 237691983229368irlml0060pbf.pdffileid5546d462533600a40153566493ef25e6.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLML0060_DS_v01_01_EN-3363443.pdf MOSFETs MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml0060pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566493ef25e6 Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
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Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
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500+ 0.36 EUR
1000+ 0.24 EUR
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 237691983229368irlml0060pbf.pdffileid5546d462533600a40153566493ef25e6.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 237691983229368irlml0060pbf.pdffileid5546d462533600a40153566493ef25e6.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 237691983229368irlml0060pbf.pdffileid5546d462533600a40153566493ef25e6.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002837905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 237691983229368irlml0060pbf.pdffileid5546d462533600a40153566493ef25e6.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0060TRPBF Hersteller : IR irlml0060pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566493ef25e6 Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT23 Udss=60V; Id=2,7A; Rds=0,092 Ohm
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.59 EUR
10+ 0.53 EUR
100+ 0.48 EUR
IRLML0060TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irlml0060pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566493ef25e6 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
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IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF Hersteller : Infineon Technologies 237691983229368irlml0060pbf.pdffileid5546d462533600a40153566493ef25e6.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0030TRPBF
Produktcode: 37076		 irlml0030pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664773825df
IRLML0030TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.027
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.382
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 3366 Stück
60 Stück - stock Köln
3306 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.09 EUR
10+ 0.08 EUR
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Produktcode: 60735		 yageo-datasheet-cap.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104)
Hersteller: Yageo
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
auf Bestellung 33922 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 80000 Stück:
80000 Stück - erwartet 01.09.2024
L78L05ABUTR
Produktcode: 24972		 78L00 series.pdf
L78L05ABUTR
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-89
Uin, V: 30
Uout,V: 5
Iout,A: 0.1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: -40...125
verfügbar: 1482 Stück
30 Stück - stock Köln
1452 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.2 EUR
10+ 0.18 EUR
1nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (0603B102K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 3903		 X7R_X5R.pdf
1nF 50V X7R 10% 0603 4k/reel (0603B102K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
verfügbar: 17240 Stück
1200 Stück - stock Köln
16040 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.02 EUR
100+ 0.0062 EUR
1000+ 0.0031 EUR
10000+ 0.0022 EUR
Mindestbestellmenge: 10
4,7uF 50V X7R 10% 1206 (CL31B475KBHNNNE-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 67047		 cl_series_mlcc_datasheet.pdf
4,7uF 50V X7R 10% 1206 (CL31B475KBHNNNE-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 4,7uF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10 K
Gro?entyp: 1206
auf Bestellung 5274 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.16 EUR
100+ 0.09 EUR
1000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 10