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IRLL014NTRPBF

IRLL014NTRPBF Infineon Technologies

infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details IRLL014NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irll014npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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131+ 0.55 EUR
261+ 0.27 EUR
275+ 0.26 EUR
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irll014npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF
Produktcode: 75405 		irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Transistoren > MOSFET N-CH
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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240+ 0.57 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.35 EUR
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
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Anzahl Preis ohne MwSt
14+1.27 EUR
21+ 0.85 EUR
100+ 0.59 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLL014N_DataSheet_v01_01_EN-3363683.pdf MOSFETs MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
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10+ 0.87 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.47 EUR
1000+ 0.43 EUR
2500+ 0.39 EUR
5000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 42500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLL014NTRPBF Hersteller : INTERNATIONAL RECTIFIER irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRLL014NTRPBF irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf IRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
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