IRLL014NTR UMW
Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLL014; IRLL014TR; IRLL014TR-BE3; IRLL014N; IRLL014NTR; SP001550472; SP001578654; IRLL014NTR UMW TIRLL014n UMW
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLL014; IRLL014TR; IRLL014TR-BE3; IRLL014N; IRLL014NTR; SP001550472; SP001578654; IRLL014NTR UMW TIRLL014n UMW
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Technische Details IRLL014NTR UMW
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRLL014NTR nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.2 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IRLL014NTR | Hersteller : JGSEMI |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLL014; IRLL014TR; IRLL014TR-BE3; IRLL014N; IRLL014NTR; SP001550472; SP001578654; IRLL014NTR JGSEMI TIRLL014n JGS Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
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IRLL014NTR | Hersteller : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL014N smd TIRLL014n Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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IRLL014NTR | Hersteller : IR | Транз. Пол. ММ N-HEXFET logik SOT223 Udss=55V; Id=2A; Pdmax=2,1W; Rds=0,14 Ohm |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLL014NTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V |
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