IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
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Technische Details IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.048 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 3.6, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6, hazardous: false, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048, Verlustleistung Pd: 1.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote IRLHS6376TRPBF nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRLHS6376TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2 Case: PQFN2X2 Mounting: SMD Kind of package: reel Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.5W Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3874 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLHS6376TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2 Case: PQFN2X2 Mounting: SMD Kind of package: reel Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.5W |
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IRLHS6376TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC |
auf Bestellung 42195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLHS6376TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Part Status: Active |
auf Bestellung 130300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLHS6376TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.048 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 3.6 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6 hazardous: false Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048 Verlustleistung Pd: 1.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 euEccn: NLR Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRLHS6376TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHS6376TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.048 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048 Verlustleistung, p-Kanal: 1.5 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 euEccn: NLR Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 29860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLHS6376TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R |
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IRLHS6376TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-Pin PQFN EP T/R |
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