Weitere Produktangebote IRLHM630TR2PBF
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRLHM630TR2PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRLHM630TR2PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V |
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IRLHM630TR2PBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 20V 40A 2.5V 3.5mOhm Drv cpbl |
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