IRLH5030TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLH5030TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLH5030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0072 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRLH5030TRPBF nach Preis ab 1.59 EUR bis 4.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRLH5030TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 50 V |
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IRLH5030TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLH5030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0072 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRLH5030TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLH5030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0072 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLH5030TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLH5030TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRLH5030TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 13A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRLH5030TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5185 pF @ 50 V |
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IRLH5030TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 13A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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