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IRLD120PBF VISHAY
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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67+ | 1.07 EUR |
118+ | 0.61 EUR |
132+ | 0.54 EUR |
143+ | 0.5 EUR |
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Technische Details IRLD120PBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRLD120PBF nach Preis ab 0.46 EUR bis 2.75 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRLD120PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.94A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 573 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 696 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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auf Bestellung 696 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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auf Bestellung 688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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auf Bestellung 688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 2053 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLD120PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm |
auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1098 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD120PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
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