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IRLD110PBF VISHAY
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; DIP4
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 760mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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91+ | 0.79 EUR |
102+ | 0.7 EUR |
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168+ | 0.43 EUR |
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Technische Details IRLD110PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote IRLD110PBF nach Preis ab 0.43 EUR bis 2.66 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRLD110PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; DIP4 Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Mounting: THT Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.7A On-state resistance: 760mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 6.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±10V |
auf Bestellung 2496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD110PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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auf Bestellung 8376 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLD110PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLD110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLD110PBF |
auf Bestellung 3080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLD110PBF Produktcode: 30512 |
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Produkt ist nicht verfügbar
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IRLD110PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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