IRLB3813PBF
Produktcode: 113437
Hersteller: IRUds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 70 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IRLB3813PBF nach Preis ab 0.8 EUR bis 3.2 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLB3813PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 14879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 14879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg |
auf Bestellung 2898 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8420 pF @ 15 V |
auf Bestellung 4272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 15079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB3813PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
IRLB3813PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs Discrete Semiconductor Products - MOSFET N-CH 30V 260A TO-220 - MOSFETs - Single |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
2,2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 2133 |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 2,2 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 2,2 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 12189 Stück
1200 Stück - stock Köln
10989 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
10989 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 0.0042 EUR |
100+ | 0.0036 EUR |
1000+ | 0.0028 EUR |
1 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 3314 |
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 22886 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 0.0042 EUR |
100+ | 0.0036 EUR |
1000+ | 0.0028 EUR |
3,6 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 11293 |
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 3,6 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 3,6 Ohm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 4385 Stück
1200 Stück - stock Köln
3185 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
3185 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
10+ | 0.0042 EUR |
100+ | 0.0036 EUR |
1000+ | 0.0028 EUR |
BC817-40 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 17873 |
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
auf Bestellung 20146 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.026 EUR |
1000+ | 0.023 EUR |
Вентилятор 40x40x10, 12V (GT2-7002 12VDC) Produktcode: 114895 |
Hersteller: Global Tone
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
Abmessungen, mm: 40x40x10 mm
Spannung, V: 12 DC
Leistung, Watt: 0,96 Вт
Beschreibung: Підшипник ковзання "втулка"
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
Abmessungen, mm: 40x40x10 mm
Spannung, V: 12 DC
Leistung, Watt: 0,96 Вт
Beschreibung: Підшипник ковзання "втулка"
auf Bestellung 261 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 500 Stück:
500 Stück - erwartet 30.12.2024Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 1.2 EUR |