IRLB3036PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLB3036PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 165A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRLB3036PBF nach Preis ab 2 EUR bis 5.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLB3036PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl |
auf Bestellung 3017 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V |
auf Bestellung 15586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 165 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 962 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB3036PBF Produktcode: 58855 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 1,9 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 11210/91 JHGF: THT |
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| IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLB3036PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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