IRL7833STRLPBF Infineon Technologies
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
800+ | 1.69 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRL7833STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL7833STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRL7833STRLPBF nach Preis ab 1.54 EUR bis 4.58 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRL7833STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRL7833STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 94-98 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRL7833STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V |
auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IRL7833STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7833STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRL7833STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7833STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0031 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRL7833STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IRL7833STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IRL7833STRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK Kind of package: reel Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: D2PAK Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IRL7833STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IRL7833STRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK Kind of package: reel Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |