IRL7833PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRL7833PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL7833PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRL7833PBF nach Preis ab 1.19 EUR bis 4.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IRL7833PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL7833PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 32nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRL7833PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 32nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL7833PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL7833PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 150A 32nV 3.8mOhm Qg log lvl |
auf Bestellung 1120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL7833PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 150A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 15 V |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL7833PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL7833PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7833PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 0.0038 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL7833PBF | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL7833PBF - IRL7833 - N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL7833PBF Produktcode: 73777 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRL7833PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL7833PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |