IRL60HS118 Infineon Technologies
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Technische Details IRL60HS118 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 11.5W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRL60HS118 nach Preis ab 0.47 EUR bis 1.51 EUR
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
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IRL60HS118 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 11.5W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL60HS118 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 11.5W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
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IRL60HS118 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 5.8W; PQFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 13A Power dissipation: 5.8W Case: PQFN2X2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRL60HS118 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 5.8W; PQFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 13A Power dissipation: 5.8W Case: PQFN2X2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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