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Technische Details IRL540SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRL540SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRL540SPBF nach Preis ab 2.34 EUR bis 4.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRL540SPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL540SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL540SPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V N-CH HEXFET |
auf Bestellung 1761 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL540SPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 673 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL540SPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRL540SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRL540SPBF | Hersteller : VISHAY |
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auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRL540SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL540SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRL540SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IRL540SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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