IRL520NPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRL520NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRL520NPBF nach Preis ab 0.49 EUR bis 1.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRL520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL520NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRL520NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1361 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 10A 13.3nC 180mOhm LogLvAB |
auf Bestellung 4454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1361 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL520NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL520NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3589 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL520NPBF | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL520NPBF - IRL520N 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL520NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
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