IRL40DM247XTMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 211A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-8-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V

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Technische Details IRL40DM247XTMA1 Infineon Technologies

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	IRL40DM247XTMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 211A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: MG-WDSON-8-904 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V	auf Bestellung 4975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 4+ 5.83 EUR 10+ 3.81 EUR 100+ 2.67 EUR 500+ 2.18 EUR 1000+ 2.02 EUR 2000+ 1.97 EUR Mindestbestellmenge: 4 kaufen
	IRL40DM247XTMA1	Hersteller : Infineon Technologies	TRENCH <= 40V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRL40DM247XTMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 40V 44A 10-Pin Direct-FET ME T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
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