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IRL3705ZPBF
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Produktcode: 113435
Hersteller: IRGehäuse: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 108 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRL3705ZPBF IR
- MOSFET, N, 55V, 86A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Cont Current Id:86A
- On State Resistance:0.008ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:3V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Junction to Case Thermal Resistance A:1.14`C/W
- Max Voltage Vds:55V
- Max Voltage Vgs th:3V
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.008ohm
- Power Dissipation:130W
- Power Dissipation Pd:130W
- Pulse Current Idm:340A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRL3705ZPBF nach Preis ab 1.38 EUR bis 3.63 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRL3705ZPBF | Hersteller : International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5004 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL3705ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL3705ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL3705ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1027 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL3705ZPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1324 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL3705ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL3705ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL3705ZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL3705ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL3705ZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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Kontakte für HU-xx (CI31T021BE0, NS25-T, KLS1-2.54-T, 2542-T-L) Produktcode: 8246 |
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Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakte für HU-xx (CI31…), Messing verzinnt
Stecker/Buchse: Kontakte/Kappen
Anzahl Kontakte: -
2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для HU
Монтаж: на провід
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakte für HU-xx (CI31…), Messing verzinnt
Stecker/Buchse: Kontakte/Kappen
Anzahl Kontakte: -
2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для HU
Монтаж: на провід
verfügbar: 65872 Stück
35 Stück - stock Köln
65837 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
65837 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
100000 Stück
100000 Stück - erwartet 10.12.2024
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.02 EUR |
ATmega8A-AU Produktcode: 28083 |
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Hersteller: Atmel
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: TQFP-32
Kurzbeschreibung: 8-bit with 8K Bytes In-System Programmable Flash,16 MHz
Strom, V: 2,7...5,5V
Betriebstemperatur, °С: -40…+85°C
Austauschbar: ATmega8-16AU, ATmega8-16AI
Bemerkung: 16MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: TQFP-32
Kurzbeschreibung: 8-bit with 8K Bytes In-System Programmable Flash,16 MHz
Strom, V: 2,7...5,5V
Betriebstemperatur, °С: -40…+85°C
Austauschbar: ATmega8-16AU, ATmega8-16AI
Bemerkung: 16MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
auf Bestellung 1029 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.4 EUR |
10+ | 1.34 EUR |
100+ | 1.29 EUR |
1000+ | 1.11 EUR |
1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 1327 |
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Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 23850 Stück
4800 Stück - stock Köln
19050 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
19050 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
40000 Stück
40000 Stück - erwartet 20.10.2024
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.005 EUR |
100+ | 0.0034 EUR |
1000+ | 0.0028 EUR |
470uF 50V EXR 13x21mm (EXR471M50B-Hitano) Produktcode: 2424 |
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 13x21mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 200 Stück
erwartet:
4000 Stück
4000 Stück - erwartet 30.11.2024
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.42 EUR |
10+ | 0.37 EUR |
100+ | 0.27 EUR |
1000+ | 0.25 EUR |
4700uF 25V ECR 16x32mm (ECR472M25B-Hitano) Produktcode: 3026 |
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4700uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 16x32mm
Lebensdauer: 16х32mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 4700uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 16x32mm
Lebensdauer: 16х32mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 224 Stück
50 Stück - stock Köln
174 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
174 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
200 Stück
200 Stück - erwartet 20.10.2024
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.57 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
100+ | 0.35 EUR |