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IRL2203NPBF
![irl2203npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b5a0524fb](/images/adobe-acrobat.png)
Produktcode: 74311
Hersteller: IRUds,V: 30 V
Idd,A: 116 A
Rds(on), Ohm: 7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3290/60
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 280 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IRL2203NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL2203NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL2203NPBF | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 407361 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL2203NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL2203NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL2203NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
1N4007 Produktcode: 176822 |
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 44799 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 6000 Stück:
1N4148W Produktcode: 176823 |
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Hersteller: JINGDAO
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-123
Urev.,V: 75 V
Iausricht.,А: 0,15 A
Beschreibung: імпульсний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SOD-123
Urev.,V: 75 V
Iausricht.,А: 0,15 A
Beschreibung: імпульсний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
auf Bestellung 741 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 800 Stück:
LD1117S50TR Produktcode: 4565 |
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Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-223
Uin, V: 15
Uout,V: 5
Iout,A: 0.8
Udrop, V: 1.1
Bemerkung: Fixed
Temperaturbereich: 0…150
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-223
Uin, V: 15
Uout,V: 5
Iout,A: 0.8
Udrop, V: 1.1
Bemerkung: Fixed
Temperaturbereich: 0…150
verfügbar: 355 Stück
13 Stück - stock Köln
342 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
342 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.28 EUR |
10+ | 0.24 EUR |
BC817-40 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 17873 |
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Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
auf Bestellung 13491 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 600 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.026 EUR |
1000+ | 0.023 EUR |
H11L1M PBF Produktcode: 20501 |
Hersteller: Fair
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-6
Typ: Optokoppler offener Kollektor
U-isol, kV: 7.5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 16
Ton/Toff, µs: 4/4
Роб.темп.,°С: -40…+85°C
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-6
Typ: Optokoppler offener Kollektor
U-isol, kV: 7.5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 16
Ton/Toff, µs: 4/4
Роб.темп.,°С: -40…+85°C
auf Bestellung 772 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)