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IRL1404ZPBF

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Produktcode: 34998
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 160
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 6590/110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl1404zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 75nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 790A
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl1404zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 75nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 790A
Case: TO220AB
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRL1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3363594.pdf MOSFETs MOSFT 40V 200A 3.1mOhm 75nC LogLvAB
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies irl1404zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b4b2d24f5 Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
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100+ 2.07 EUR
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1000+ 1.64 EUR
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, Kfz-Anwendungen, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl1404z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1526		 RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 39574 Stück
3774 Stück - stock Köln
35800 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
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1000+ 0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
FOD3120
Produktcode: 42930		 fod3120-298346.pdf
FOD3120
Hersteller: ON
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-8
Typ: Транзистор
U-isol, kV: 5 kV
I-ein/ I-ausg, mA: /2,5 A
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
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20 Ohm 5% 0,5W (MFR050SSJTB-20R-Hitano)
Produktcode: 55032		 FMF-MFR_120622ds.pdf
20 Ohm 5% 0,5W (MFR050SSJTB-20R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,4W 0,5W 0,6W
Resistenz: 20 Ohm
Präzision: ±5%, ±100ppm
P Nenn.,W: 0,5W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 3,2x1,5mm, DAusfuhr.=0,45mm
Typ: metall-folien miniatur
verfügbar: 5253 Stück
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10+0.012 EUR
100+ 0.01 EUR
1000+ 0.0084 EUR
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470uF 16V EXR 10x12,5mm (EXR471M16B-Hitano)
Produktcode: 1318		 EXR_080421.pdf
470uF 16V EXR 10x12,5mm (EXR471M16B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 16V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x12,5mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 9920 Stück
999 Stück - stock Köln
8921 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.26 EUR
10+ 0.22 EUR
100+ 0.19 EUR
1000+ 0.065 EUR
10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 2210		 RC_series.pdf
10 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 59784 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10000 Stück:
Anzahl Preis ohne MwSt
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100+ 0.0036 EUR
1000+ 0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10