IRG7PH35UD1-EP

IRG7PH35UD1-EP International Rectifier


IRSDS18580-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: International Rectifier
Description: IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/160ns
Switching Energy: 620µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 179 W
auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
84+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRG7PH35UD1-EP International Rectifier

Description: IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: -/160ns, Switching Energy: 620µJ (off), Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 130 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 179 W.

Weitere Produktangebote IRG7PH35UD1-EP

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRG7PH35UD1-EP IRG7PH35UD1-EP Hersteller : Infineon Technologies 2165irg7ph35ud1pbf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 179000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IRG7PH35UD1-EP IRG7PH35UD1-EP Hersteller : Infineon / IR irg7ph35ud1pbf-936502.pdf IGBT Transistors IGBT DISCRETES
Produkt ist nicht verfügbar