IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC
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1+ | 3.98 EUR |
Technische Details IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC IR
IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
•
Optimized for use in
Welding and Switch-Mode Power Supply applications
•
Industry benchmark
switching losses improve efficiency of all power supply topologies
• 50% reduction of Eoff parameter
• Low IGBT conduction losses
•
Latest technology IGBT
design offers tighter parameter distribution coupled with exceptional
reliability
Benefits
• Lower switching losses allow more cost-effective operation and hence efficient replacement of larger-die MOSFETs up to 100kHz
•
Of particular benefit
in single-ended converters and Power Supplies 150W and higher
•
Reduction in critical
Eoff parameter due to minimal minority-carrier recombination coupled with low
on-state losses allow maximum flexibility in device
Absolute Maximum Ratings
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Parameter |
Max. |
Units |
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VCES |
Collector-to-Emitter
Breakdown Voltage |
900 |
V |
|
IC @ TC =
25°C |
Continuous
Collector Current |
51 |
|
|
IC @ TC =
100°C |
Continuous
Collector Current |
28 |
A |
|
ICM |
Pulsed
Collector Current ➀ |
204 |
|
|
ILM |
Clamped
Inductive Load Current ➁ |
204 |
|
|
VGE |
Gate-to-Emitter
Voltage |
± 20 |
V |
|
EARV |
Reverse
Voltage Avalanche Energy ➂ |
186 |
mJ |
|
PD @ TC =
25°C |
Maximum
Power Dissipation |
200 |
W |
|
PD @ TC = 100°C |
Maximum
Power Dissipation |
78 |
||
|
||||
TJ |
Operating
Junction and |
-55 to + 150 |
|
|
TSTG |
Storage
Temperature Range |
|
°C |
|
|
Soldering
Temperature, for 10 seconds |
300 (0.063 in. (1.6mm from
case ) |
|
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Produktcode 32408
Weitere Produktangebote IRG4PF50WPBF Infineon (International Rectifier) Leistungstransistor IGBT 900V 51A 200W TO247AC
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRG4PF50WPBF | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRG4PF50WPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRG4PF50WPBF - IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7 Verlustleistung Pd: 200 Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 900 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 51 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRG4PF50WPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 900V 51A 200W TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 28A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 29ns/110ns Switching Energy: 190µJ (on), 1.06mJ (off) Test Condition: 720V, 28A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Current - Collector (Ic) (Max): 51 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 204 A Power - Max: 200 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRG4PF50WPBF | Hersteller : Infineon Technologies | IGBT Transistors 900V Warp 20-100kHz |
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CDRH6D38NP-220NC (22uH, ±20%, Idc=1.3A, Rdc max/typ=96/71 mOhm, SMD: 7.0x7.0mm, h=4.0mm) Sumida Produktcode: 22610 |
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 22 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 22uH, ±20%, Idc=1.3A, Rdc max/typ=96/71 mOhm, SMD: 7.0x7.0mm, h=4.0mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 7,0x7,0mm, h=4,0mm
Робочий струм, А: 1.3A
№ 7: 8504 50 20 90
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.48 EUR |
10+ | 0.4 EUR |
100+ | 0.32 EUR |
22pF 50V NP0 5% 0603 4k/reel (C0603N220J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 37440 |
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 22pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
5670 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.02 EUR |
100+ | 0.0062 EUR |
1000+ | 0.003 EUR |
10000+ | 0.0025 EUR |
HC49US8.000MHz (30pF, 30PPM) 8,0MHz Produktcode: 75972 |
Quarz- und keramische > Quarz- und keramische Resonatoren und Generatoren
Frequenz: 8 MHz
Gehäuse: HC-49/S-Kahn
Typ: Quarz Resonator
30 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.29 EUR |
10+ | 0.19 EUR |
100+ | 0.12 EUR |
2,2nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B222K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD) Produktcode: 1791 |
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 2,2nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
746 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.0086 EUR |
1000+ | 0.0059 EUR |
10000+ | 0.0049 EUR |
1nF 1kV Y5P K(+/-10%) D<=5,8mm (HB3A102K-L516B-Hitano) Produktcode: 3451 |
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 1000V
TKE: Y5P
Präzision: ±10% K
Abmessungen: D<=5,8mm
Part Nummer: HB3A102K-L516B
№ 8: 8532 24 00 00
2939 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.017 EUR |
1000+ | 0.012 EUR |