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IRFZ34PBF VISHAY
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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69+ | 1.04 EUR |
96+ | 0.75 EUR |
110+ | 0.65 EUR |
125+ | 0.57 EUR |
132+ | 0.54 EUR |
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Technische Details IRFZ34PBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFZ34PBF nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.08 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRFZ34PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 21A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 19752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ34PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFZ34PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFZ34PBF | Hersteller : Vishay |
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IRFZ34PBF | Hersteller : Vishay |
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