![IRFUC20PBF IRFUC20PBF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/54/7E/00/00/0/59205_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=a3053d4c90cfcdcc87f53b2b5e96202693b75aeb)
IRFUC20PBF VISHAY
![IRFRC20TRPBF.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
69+ | 1.04 EUR |
93+ | 0.78 EUR |
106+ | 0.68 EUR |
109+ | 0.66 EUR |
117+ | 0.61 EUR |
300+ | 0.59 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFUC20PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFUC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFUC20PBF nach Preis ab 0.59 EUR bis 1.9 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFUC20PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 2484 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 2486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 4816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 2486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 2959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF Produktcode: 25612 |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
![]() |
IRFUC20PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |