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IRFU9310PBF VISHAY
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Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 50W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2732 Stücke:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IRFU9310PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFU9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 400 V, 1.8 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFU9310PBF nach Preis ab 0.53 EUR bis 1.75 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFU9310PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; 50W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Power dissipation: 50W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2732 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFU9310PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9310PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9310PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU9310PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 23623 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU9310PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9310PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 2255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9310PBF Produktcode: 73659 |
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IRFU9310PBF | Hersteller : Vishay |
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IRFU9310PBF | Hersteller : Vishay |
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