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Technische Details IRFU9014PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFU9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFU9014PBF nach Preis ab 0.43 EUR bis 2.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFU9014PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9014PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.2A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFU9014PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.2A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRFU9014PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
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IRFU9014PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp |
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IRFU9014PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.6 A, 0.5 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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IRFU9014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU9014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFU9014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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IRFU9014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFU9014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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