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IRFU024PBF
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Produktcode: 49505
Hersteller: IRGehäuse: TO-251
Uds,V: 60
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 01.10.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
Bem.: MOSFET
JHGF: THT
verfügbar 15 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.45 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFU024PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 2175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU024PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 2175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU024PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU024PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU024PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 14824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU024PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
auf Bestellung 606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFU024PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 2175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU024PBF | Hersteller : Vishay/IR |
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auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFU024PBF | Hersteller : Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFU024PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFU024PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |