IRFS7430TRL7PP Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 800+ | 2.64 EUR |
| 1600+ | 2.62 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFS7430TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFS7430TRL7PP nach Preis ab 2.35 EUR bis 6.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS7430TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC |
auf Bestellung 2175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFS7430TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1923 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFS7430TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFS7430TRL7PP | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFS7430TRL7PP | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
IRFS7430TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
.jpg "IRFS7430TRL7PP") |
IRFS7430TRL7PP Produktcode: 106258 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRFS7430TRL7PP | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
 |
IRFS7430TRL7PP | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7 Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 240A On-state resistance: 0.55mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 305nC Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFS7430TRL7PP | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7 Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 240A On-state resistance: 0.55mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 305nC |
Produkt ist nicht verfügbar |