IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0637 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0637ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFS4620TRLPBF nach Preis ab 1.23 EUR bis 3.54 EUR
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg |
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0637 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0637ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0637 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0637ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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| IRFS4620TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 144W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4620TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFS4620TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 144W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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