IRFS4310TRLPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 800+ | 2.63 EUR |
| 1600+ | 2.61 EUR |
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Technische Details IRFS4310TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFS4310TRLPBF nach Preis ab 2.5 EUR bis 7.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC |
auf Bestellung 2017 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFS4310TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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