IRFR9214TRPBF Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2000+ | 1.09 EUR |
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Technische Details IRFR9214TRPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRFR9214TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 2.7 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFR9214TRPBF nach Preis ab 0.82 EUR bis 2.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFR9214TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9214TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9214TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9214TRPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 250V P-CH HEXFET MOSFET D |
auf Bestellung 2505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9214TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5821 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR9214TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9214TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 2.7 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9214TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFR9214TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 2.7 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9214TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR9214TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH Si 250V 2.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFR9214TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.7A; Idm: -11A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -2.7A Pulsed drain current: -11A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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| IRFR9214TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.7A; Idm: -11A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -2.7A Pulsed drain current: -11A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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