IRFR9120NTRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFR9120NTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR9120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRFR9120NTRLPBF nach Preis ab 0.51 EUR bis 1.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -6.5A 480mOhm 18nC |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR9120NTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -6.5A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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IRFR9120NTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -6.5A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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