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IRFR7546TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFR7546TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR7546TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0066 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 99W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFR7546TRPBF nach Preis ab 0.42 EUR bis 1.14 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFR7546TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFR7546TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V |
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IRFR7546TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFR7546TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; 99W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 71A On-state resistance: 7.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 99W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1527 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR7546TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 71A; 99W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 71A On-state resistance: 7.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 99W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD |
auf Bestellung 1527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR7546TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFR7546TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRFR7546TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 25 V |
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IRFR7546TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 99W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: 0 Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR7546TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 99W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR7546TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR7546TRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
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IRFR7546TRPBF Produktcode: 115259 |
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