IRFR7540TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2000+ | 0.92 EUR |
| 4000+ | 0.85 EUR |
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Technische Details IRFR7540TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFR7540TRPBF nach Preis ab 0.73 EUR bis 3.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFR7540TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet |
auf Bestellung 9326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFR7540TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR7540TRPBF Produktcode: 118952 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR7540TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR7540TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFR7540TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 140W Case: DPAK On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRFR7540TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 140W Case: DPAK On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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