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IRFR420APBF Vishay
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IRFR420APBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 500V 3.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Arrow.com
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Technische Details IRFR420APBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFR420APBF nach Preis ab 0.96 EUR bis 71.5 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFR420APBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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IRFR420APBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
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IRFR420APBF | Hersteller : Vishay |
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IRFR420APBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; 83W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.1A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFR420APBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; 83W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.1A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRFR420APBF | Hersteller : Vishay |
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IRFR420APBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
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IRFR420APBF | Hersteller : Vishay |
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