IRFR3710ZTR JGSEMI
Hersteller: JGSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 19mOhm; 35A; 62W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR3710Z; IRFR3710ZTRL; IRFR3710ZTR; IRFR3710ZTRR; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124; IRFR3710ZTR JGSEMI TIRFR3710z JGS
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 19mOhm; 35A; 62W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR3710Z; IRFR3710ZTRL; IRFR3710ZTR; IRFR3710ZTRR; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124; IRFR3710ZTR JGSEMI TIRFR3710z JGS
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Technische Details IRFR3710ZTR JGSEMI
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFR3710ZTR nach Preis ab 2.38 EUR bis 2.38 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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IRFR3710ZTR | Hersteller : International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 56A; 140W; -55°C~175°C; Substitute: IRFR3710ZTR; IRFR3710ZTRL; IRFR3710Z-GURT; IRFR3710Z Infineon TIRFR3710z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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IRFR3710ZTR | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V |
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IRFR3710ZTR | Hersteller : Infineon / IR | MOSFET |
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