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IRFR3709ZTRLPBF

IRFR3709ZTRLPBF Infineon Technologies


infineon-irfr3709z-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRFR3709ZTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFR3709ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IRFR3709ZTRLPBF IRFR3709ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr3709z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRFR3709ZTRLPBF IRFR3709ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631a47a20c5 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
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IRFR3709ZTRLPBF IRFR3709ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR3709Z_DataSheet_v01_01_EN-3363168.pdf MOSFETs MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC
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IRFR3709ZTRLPBF IRFR3709ZTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631a47a20c5 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
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IRFR3709ZTRLPBF IRFR3709ZTRLPBF Hersteller : INFINEON 139956.pdf Description: INFINEON - IRFR3709ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 86A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
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Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRFR3709ZTRLPBF IRFR3709ZTRLPBF Hersteller : INFINEON 139956.pdf Description: INFINEON - IRFR3709ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.0052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: HEXFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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