IRFR2407TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFR2407TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFR2407TRPBF nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFR2407TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR2407TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR2407TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR2407TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR2407TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 75V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 74nC |
auf Bestellung 13521 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFR2407TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
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IRFR2407TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFR2407TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR2407TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 42 A, 0.0218 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0218ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFR2407TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR2407TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRFR2407TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRFR2407TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
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IRFR2407TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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