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IRFR220NPBF

IRFR220NPBF

irfr220npbf-223238.pdf
Produktcode: 113425
Hersteller: IR
Uds,V: 200 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 600 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/15
JHGF: SMD
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Technische Details IRFR220NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 5A, D-PAK
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:5A
  • On State Resistance:0.6ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:DPAK
  • Termination Type:SMD
  • Alternate Case Style:D-PAK
  • Junction to Case Thermal Resistance A:3.5`C/W
  • Max Voltage Vds:200V
  • Power Dissipation:43W
  • Power Dissipation Pd:43W
  • Pulse Current Idm:20A
  • SMD Marking:IRFR220N
  • Transistor Case Style:D-PAK

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRFR220NPBF IRFR220NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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IRFR220NPBF IRFR220NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Description: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
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IRFR220NPBF IRFR220NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFR220N_DataSheet_v01_01_EN-3363236.pdf MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
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